Diskussion:Diode

Letzter Kommentar: vor 3 Monaten von 89.12.103.80 in Abschnitt Ausfallverhalten von Dioden
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Sperrschichtkapazität

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"Der p-n-Übergang einer Diode hat eine Kapazität, die von der Breite der Raumladungszone abhängig ist. Mit steigender Sperrspannung vergrößert sich die Breite der ladungsfreien Zone, wodurch die Kapazität abnimmt."

Die Formel und der Graph scheinen aber zu dieser Aussage widersprüchlich zu sein, die Kapazität Cs nimmt dort mit steigender Spannung Ud zu und nicht ab. --2003:CD:F707:9E00:BAC3:2794:2AFC:A9B4 13:26, 11. Apr. 2022 (CEST)Beantworten

Schade, ich hatte gehofft, es würde sich ein Fachmann finden, der dir antwortet. Ich fühle mich eigentlich zu einer Antwort nicht berufen. Also mit aller Vorsicht:
Das Bild ist unbrauchbar, weil es nicht einmal angibt, welche Größe überhaupt auf der Abszissenachse aufgetragen wird. Wahrscheinlich ist das an dem nach rechts zeigenden Pfeil die Spannung an der Diode  , genauer gesagt die Spannung an der Diode in Durchlassrichtung.
Die Sperrspannung ist definiert als  , siehe im Artikel die Tabelle im Abschnitt „Formelzeichen“. Die Sperrspannung gehört im Bild an den nach links zeigenden Pfeil.
Bild und Text behandeln so etwa den Bereich  . Dieser ist aber für die Sperrschichtkapazität uninteressant. Die Sperrspannung liegt nach meinen Recherchen im Bereich mehrerer Volt, aber eben beim gezeigten Bild links vom Nullpunkt; z.B. in[1] ist  .
Wenn du die Defintion der Sperrspannung beachtest und weiter beachtest, dass diese nach links steigt, dann siehst du auch, dass mit steigender Sperrspannung die Kapazität abnimmt. Dann ist der Artikeltext richtig. Nur wird dieser für die Sperrschichtkapazität wichtige Bereich leider im Artikel einschl. Bild m. E. überhaupt nicht behandelt. --der Saure 18:39, 6. Mai 2022 (CEST)Beantworten
  1. Horst Gad, ‎Hans Fricke: Grundlagen der Verstärker. Teubner, 1983, S. 31
Nach einer weiteren Wartezeit habe ich Literatur herangezogen und das Kapitel neu formuliert. --der Saure 11:06, 22. Mai 2022 (CEST)Beantworten

Ausfallverhalten von Dioden

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Es gibt von Kleinsignaldiode (Siliciumdioden?) bspw das Ausfallverhalten , also das Verhalten einer defekten Diode , daß sie leitend wird (Kurzschluß)(zb 0,4V in beide Richtungen)(18%) oder sperrt (hochohmig) (24%), oder aber andere Leistungswerte annimmt (58%) . https://groups.google.com/g/de.sci.electronics/c/8nxHaNB3fAA?pli=1 gruß --Konfressor (Diskussion) 00:56, 29. Apr. 2023 (CEST)Beantworten

Wenn eine Diode kaputt ist, dann ist sie kaputt. Was soll man dazu weiter sagen? --der Saure 11:09, 15. Dez. 2023 (CET)Beantworten
Das ist schon eine Interessante Frage und nicht ganz einfach zu beantworten. Der Hauptpunkt ist die Art wie der Defekt entstanden ist. zu nennen währen hier: Überstrom, sehr hoher Überstrom, Einwandern von o2 in das Gehäuse, zu hohe Sperrspannung, Degenerierung des HL (schon hier gibt es sehr viele Gründe) mechanische Beschädigung durch Ermüdung, Gewalt, Wärmeausdehnung, Einwirken von ionisierender Strahlung usw. Alle diese Defekte haben ihr eigenes Schadessbild und darum ist die Frage so nicht einfach zu beantworten. --89.12.103.80 21:43, 1. Sep. 2024 (CEST)Beantworten