Diskussion:Galliumarsenid

Neues Herstellungsverfahren?

Letzter Kommentar: vor 14 Jahren1 Kommentar1 Person ist an der Diskussion beteiligt

Laut heise.de gelang vor kurzem der Durchbruch: http://www.heise.de/newsticker/meldung/Wafer-aus-Galliumarsenid-1007672.html --Sound85 09:47, 26. Mai 2010 (CEST)Beantworten

Fragen

bereits ein sehr schöner artikel. ich habe aber noch fragen, und es wäre schön wenn deren beantwortung in den artikel eingearbeitet werden könnte.

können mit galliumarsenid auch p-n-strukturen aufgebaut werden? kann galliumarsenid also dotiert werden, so wie dies mit silizium als halbleiter geschieht?

Wäre es für die wikipedia nicht toll, artikel wie III-V-Halbleiter, bzw. 3-5-Halbleiter zu erstellen, die als sammelvorstellung für galliumarsenid und sämtliche anderen halbleiter dieser gruppe dienen?

sagt mir bescheid, danke, --Abdull 00:39, 13. Jan 2005 (CET)

GaAs kann dotiert werden. Silizium dient als n- und Kohlenstoff oder Mangan als p-Dotierung. Es sind also p-n-Uebergaenge durchaus realisierbar. Leuchtdioden, die aus einem direkten Halbleiter gebaut werden muessen, sind sogar mit Silizium nicht moeglich, aber mit GaAs. --Montauk 01:05, 13. Jan 2005 (CET)

Wachstum mit 1µm/h realistisch? Dann würde im technischen Verfahren ein Kristall mit der Länge/Durchmesser von 10cm bereits 11 Jahre zum wachsen benötigen! Kann ich mir irgendwie kaum Vorstellen...(nicht signierter Beitrag von 80.132.163.232 (Diskussion) 8:57, 7. Aug. 2006 (CEST))

die 1µm/h beziehen sich nur auf epitaktisches wachstum, welches der Herstellung der Strukturen von LEDs, Lasern etc. (d < 10µm) dient, nicht aber zum Kristallwachstum. Da sollte man deutlicher unterscheiden (Absatz eingefügt). --Gunnar 14:39, 28. Sep 2006 (CET)

elektrischen leitfähigkeit

Letzter Kommentar: vor 17 Jahren1 Kommentar1 Person ist an der Diskussion beteiligt

wie sieht das mit der elektrischen leitfähigkeit von reinem GaAs aus ? oder ist das zu verschieden får verschiedene zusammensetzungen ? (nicht signierter Beitrag von 128.214.7.90 (Diskussion) 12:32, 25. Jun. 2007 (CEST))Beantworten

Abbildung - erledigt

Letzter Kommentar: vor 15 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt

Der artikel ist an sich wirklich ganz gut,... kann man bitte nur noch die Farben in der Abbildung rechts oben tauschen,... Bei GaAs bildet nämlich As3- als größeres Anion die gitterstruktur und Ga3+ besetzt die hälfte der tetraederlücken (ZnS-struktur). Danke! (nicht signierter Beitrag von 77.131.244.140 (Diskussion | Beiträge) 23:13, 5. Feb. 2009 (CET)) Beantworten

Hallo Thomas, die Struktur stimmt so wie sie da steht. Schon aus dem Artikeltext wird das klar: "es besteht aus zwei ineinandergestellten kubisch-flächenzentrierten Gittern, je mit Gallium- (Gruppe III) bzw. Arsen-Atomen (Gruppe V) besetzt, die um ein Viertel der Raumdiagonalen der kubischen Einheitszelle gegeneinander verschoben sind. "

Wenn du dir also nun die oberen drei gelben Atome anschaust, dann sind die Teil der Deckfläche der Elementarzelle, die unteren drei sind die mittleren der linken, hinteren und rechten Fläche.

Und wie du schon schreibst, sind die Galluimionen die kleineren, ebenso ist es in der Struktur.

Schönen Abend, Felix. Hennix 20:13, 6. Feb. 2009 (CET)Beantworten

semiisolierend

Letzter Kommentar: vor 13 Jahren3 Kommentare3 Personen sind an der Diskussion beteiligt

Semiisolierend ist ein anderes Wort für halbleitend? Eine Definition habe ich dafür nicht gefunden, und mit derzeit 136 Ergebnissen bei Google scheint das Wort auch nicht überaus populär zu sein. --Tholu 13:02, 5. Sep. 2009 (CEST)Beantworten

Nach kurzen flüchtigen Recherchen würde ich das verneinen. Semiisolierend (engl. semi-insulated) ist was anderes als halbleitend. Ich schau die Tage nochmal. --Cepheiden 19:54, 6. Sep. 2009 (CEST)Beantworten

Simiisolierend ist die Bezeichnung für Halbleiter die nicht dotiert sind. Da allerdings immer intrinsisch freie Ladungsträger vorhanden sind, kann man nicht von isolierend sprechen. Die intrinsische Leitfähigkeit ist allerdings so gering, dass man auch weder von leitend noch von halbleitend sprechen kann. --Dsperlich 14:34, 27. Jul. 2011 (CEST)Beantworten

Aktualisierung der Angaben zur Toxizität

Letzter Kommentar: vor 8 Jahren3 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt

Die Einstufung von Galliumarsenid habe ich korrigiert. Es gibt inzwischen eine harmonisierte Einstufung dazu, daher ist der Verweis auf Arsenverbindungen nicht korrekt.

Meine Frage: Im Text gibt es nur sehr vage Hinweise auf Gesundheitsgefahren. Sollte das bei einem CMR-Stoff nicht einen eigenen Abschnitt geben?--Chemienutzer (Diskussion) 15:31, 3. Apr. 2016 (CEST)Beantworten

Sei mutig! ;-) --Mabschaaf 17:04, 3. Apr. 2016 (CEST)Beantworten

Na dann ... Ein Dankeschön gab es gleich.--Chemienutzer (Diskussion) 11:24, 11. Apr. 2016 (CEST)Beantworten

N**i-Arsen in zum Beispiel 5G verschwunden?

Letzter Kommentar: vor 7 Monaten1 Kommentar1 Person ist an der Diskussion beteiligt

Es gibt laut älteren BILD-Klatschblatt-Berichten verschwundenes N**i-Arsen.

Gibt es eventuelle Zusammenhänge mit Diebstahl hiervon zum Zweck von Halbleitertechnik-Herstellung,

zum Beispiel für 5G-Smartphones und Co.?

2. Weltkrieg: Rätsel um 600 Tonnen Nazi-Arsen in Halle | Regional | BILD.de

Normalerweise halte ich nicht so viel von Klatschblatt-Journallie, aber bei dem eine Ausnahme von der Regel zu machen,

kann helfen, diesen Wiki-Artikel zu verbessern.

Falls es wem bekannt ist, dass das N**i-Arsen aus Halle zur Herstellung von Halbleitertechnik genutzt wurde,

es bitte in den Artikel schreiben kommen, danke. --2001:9E8:1233:4201:3103:2D4A:6DFF:565C 15:09, 14. Mai 2024 (CEST)Beantworten

Abschnitt hinzufügen