Diskussion:Gate-Treiber

Diode in Gegentakt-Treiberschaltung

Also wenn ich keinen Denkfehler mache und der N-Kanal-Mosfet zum Durchschalten einen positiven Impuls braucht, dann ist doch der Gate-Widerstand beim Einschalten kleiner als beim Ausschalten - d.h. das Einschalten geht tendenziell schneller als das Ausschalten. Um mit dem Text konform zu gehen, müsste man also die Diode drehen, oder nicht!? -- V0oD0o1 14:21, 19. Sep. 2010 (CEST)

Keinen Impuls, sondern eine statische Spanung U_GS von einigen Volt, jedenfalls deutlich mehr als die Spannung U_DS, die man wegen der Verluste gerne bei Null sähe. Also ist im durchgeschalteten Zustand das Potenzial am Gate positiver als das der Versorgung V_P und die umgedrehte Diode würde leitend. – Rainald62 18:20, 19. Sep. 2010 (CEST)

Das Gate kann höheres Potential haben als seine Versorgung (also der Emitter von T1)? Das leuchtet mir nicht ganz ein. Aber jedenfalls müsste ja ein positives Gate, das Richtung T2 entladen wird (und damit den Kanal auflöst -> Ausschalten) in dem kleinen Netzwerk dazwischen einen größeren Widerstand finden als beim Laden über T1, wo die Diode durchlässt und durch die Parallelschaltung der Gesamtwiderstand verringert ist. Und damit wäre eben in meinem Gedankengang der Einschaltstrom größer und damit auch die Einschaltzeit kleiner als die Ausschaltzeit, was im Text genau anders herum gefordert wurde. -- V0oD0o1 22:02, 20. Sep. 2010 (CEST)

'Dein' T2 habe ich in 'meiner' Schaltung (ich hatte kurz vorher den Abschnitt 'Treiberschaltung mit Bootstrapping' editiert) nicht gefunden, offenbar ein Missverständnis. Dein 'Gegentakt' in der Überschrift hab ich überlesen oder auf die Anordnung der MOSFETs bezogen, eine Diode haben beide Schaltungen und die Gefahr schnelleren Ein- als Ausschaltens passt eher auf 'meine' Halbbrücke.

Ja, 'deine' Diode wäre für schnelleres Ausschalten falsch herum. Das schnellere Aus- als Einschalten ist bei Halbbrücken wichtig, weil sonst die Versorgungsspannung über beide Schalter kurzgeschlossen würde. In 'deiner' Schaltung gibt es aber nur einen Schalter und darüber die Last. Wenn die induktiv ist, und sei es auch nur wegen langer Leitungen, dann will man eher langsamer aus- als einschalten. Dafür ist die Diode richtig herum. Vielleicht sollte man den Text anpassen. – Rainald62 00:16, 21. Sep. 2010 (CEST)

Hallo V0oD0o1c,

Du hast natürlich recht, der Text war mit dem Schaltbild nicht kohärent. Bei einer Halbbrücke wäre es wichtig, schneller aus- als einzuschalten, wodurch die Diode verkehrt eingezeichnet wäre. Das Schaltbild bezieht sich jedoch nicht auf Halbbrücken, sondern nur auf einen einzelnen Transistor. Hier bewirkt das langsame Ausschalten geringere Spannungsspitzen.

Ergo ist das Schaltbild richtig, der Text jedoch falsch, welchen ich nun korrigiert habe.

Danke für den Hinweis, --Rowland 14:55, 27. Sep. 2010 (CEST)