Diskussion:Indiumnitrid

Anwendung von InN in Solarzellen

InN, bzw. In_(x)Ga_(1-x)N, ist ein vielversprechendes Materialsystem fuer optoelektronische Anwendungen. Bisher sind nach meinem Kenntnisstand derzeit nur LEDs aus diesem Materialsystem kommerziell erhaeltlich. Eine "multijunction solar cell" aus diesem Materialsystem koennte eine sehr hoehe Effizenz aufweisen, jedoch sind bis dahin noch einige "technische" Probleme zu loesen, wie p-Dotierung von In-reichem In_(x)Ga_(1-x)N. Zwar gibt es erste Berichte ueber p-dotierte InN Schichten, deren Oberflaechen sind jedoch aufgrund eines Fermi-level pinnings an der Oberflaeche weiterhin n-leitend. Von einer ausreichend starken p-Dotierung fuer einen Tunnelkontakt, der fuer Mehrschichtsolarzellen ueblicherweise verwendet, ist man bisher weit entfernt. Abschliessend: InGaN findet Anwendung in der kommerziellen LED Herstellung und fuer eine Anwendung in der kommerziellen Solarzellenherstellung ist noch erheblicher Forschungsaufwand notwendig. Falls ich mich irren sollte, wuerde ich ueber Belege/Verweise freuen, die dies belegen. (nicht signierter Beitrag von 134.76.93.81 (Diskussion | Beiträge) 15:48, 17. Feb. 2010 (CET))

Hi 134.76.93.81, der Inhalt ist primär von der en-wikipedia übernommen - hab daher mal die (mir nicht zugängliche) Referenz übernommen und die Übersetzung ausgebessert. Sollte der Inhalt so nicht stimmen und Du bessere/nachvollziehbare Quellen haben, bitte korrigiere diese Punkte im Artikel.--wdwd 21:16, 17. Feb. 2010 (CET)