Diskussion:Ingot

Wafer

Wafer? --Herrick 09:04, 4. Aug 2006 (CEST)

–Ich habe mal den Link zu Wafer eingefügt, vielleicht wird es dadurch klarer, in welchen Bereich das hier gehört, allerdings ist der Ursprungsartikel nicht von mir und ich habe auch keine fundierte Ahnung von dem Thema, kann das also auch nicht sinnvoll erweitern...--194.39.218.10 09:50, 4. Aug 2006 (CEST)

Ich finde, dass der Artikel problemlos in den Artikel Wafer eingearbeitet werden könnte! --Andreas86 18:38, 9. Aug 2006 (CEST)

Hallo. Der Ursprungsartikel ist von mir. Da momentan nicht wirklich eindeutig der Begriff Ingot definiert ist, gibt es leider kaum Informationen. Aber der Begriff Ingot ist sehr verbreitet in der Photovoltaik Industrie. Nur gibt es hier wieder 10 verschiedene Vorstellungen. Ich versuch mal mehr Informationen zu bekommen, vielleicht mit Photos und den Artikel erweitern. --Andimx (Der vorstehende falsch signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von Andimx (Diskussion • Beiträge) 14:42, 16. Aug. 2006 (CEST))

Hallo. Meines Wissens nach wird der Begriff "Ingot" auch für Stahlrohblöcke verwendet.(Der vorstehende nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von 145.64.134.235 (Diskussion • Beiträge) 8:56, 20. Aug. 2007 (CEST))

-- Ja, aber eigentlich nur im Englischen. Im Deutschen spricht man so gut wie nur von Rohblock. 87.157.193.155 21:21, 20. Nov. 2008 (CET)

Hallo! Wie lange dauert es, einen solchen Einkristall wie im Artikelbild zu züchten, und wie lange muss er abkühlen? Tage, Wochen, Monate? -- 84.133.136.146 21:32, 24. Jun. 2009 (CEST)

Typische Ziehgeschwindigkeit 0,6-0,8mm/min Prozessdauer für 500mm Kristall, Durchmesser 210, ca. 55h Es werden u.a. 2 Meter lange Kristalle gezogen. (nicht signierter Beitrag von 212.184.114.226 (Diskussion | Beiträge) 09:27, 4. Mär. 2010 (CET))

Dankeschön! 84.133.136.9 14:20, 23. Mär. 2010 (CET)

Halbleiter

In Werner Espe: Werkstoffkunde der Hochvakuumtechnik. Band 1. VEB Deutscher Verlag der Wissenschaften, Berlin 1957.  ist überall von Ingots die Rede, sobald es um Portionen (höchstreiner) Metalle an sich im Rahmen des Kaufs gewisser Quantitäten durch weiterverarbeitende Betriebe oder fabrikinterne Weiterverarbeitung geht. Hat sich hier die Begrifflichkeit gewandelt oder ist das mit dem Halbleitereinschränkung aus aktuellerer Literatur belegbar? --Poc 19:23, 17. Apr. 2010 (CEST)

Die Einschränkung kann ich nicht belegen, mir ist aber bislang nur diese Bedeutung bekannt. --Cepheiden 15:11, 1. Nov. 2011 (CET)

Dotierung bei der Ingot-Herstellung??

Die Dotierung erfolgt doch meines Wissens nach erst während der eigentlichen Chip-Produktion, denn eine unterschiedliche Dotierung verschiedener Bereiche ist es doch, was den Chip erst funktionsfähig macht, oder? Also es würde mich wundern, wenn der Ingot bereits während des Ziehens dotiert würde?? -- 77.7.184.146 19:14, 31. Okt. 2011 (CET)

Was du meinst sind lokale Dotierungsunterschiede, hier sind Grunddotierungen des Substrates gemeint, die beim ziehen des Kristalls entstehen und sich bis zu einer bestimmten Größe (mehrere Größenordnungen kleiner als bei den elektrisch aktiven Gebieten später) auch nicht verhindern lassen (betrifft hauptsächlich CZ-Ingots). Hier aber von Zielen zusprechen ist ggf. irreführend. Bei CZ-Ingots kann man es nicht verhindern und ist daher bemüht eine definierte Substratdotierung zu generieren. Dabei kann man auch einstellen ob es p-dotierte oder n-dotierte Substrate sind. So ist es heute, es gab aber vor einigen Jahrzehnten Ingots bei denen direkt ein Dotierungsprofil bei der Kristallherstellung eingebaut wurde. Die Ingots wurden dann nur noch zugeschnitten und angeschlossen; dann war der Transistor schon fertig. --Cepheiden 14:23, 1. Nov. 2011 (CET)