Diskussion:Transistor-Transistor-Logik
Fehler in Abbildung
BearbeitenIm ersten Schaltbild gibt es 2 R3, aber der R rechts oben müsste R4 heissen. Kann das jemand korrigieren?(nicht signierter Beitrag von 195.145.36.201 (Diskussion) 10:57, 28. Nov. 2006 (CET))
Spannungsgrenzen
BearbeitenIm Artikel heißt es, die untere Grenze der Versorgungsspannung liegt bei 1,8 Volt, aber eine Eingangsspannung von 2,0 Volt wird erst als High-Pegel erkannt. Wie kodiere ich bei einer Spannung von 1,8 Volt dann den High-Pegel?
Wäre schön, wenn das jemand im Artikel klären könnte. Ormek 09:33, 24. Nov. 2006 (CET)
Quelle Springer?
Bearbeitenin de.org.ccc meinte jemand der Artikel sei aus: Zinke, Otto: Lehrbuch der Hochfrequenztechnik. - Springer, Elektronik und Signalverarbeitung. - 1987. Waer ungut wenn das stimmen wuerde oder steht das Buch unter FDL? (nicht signierter Beitrag von 134.60.1.151 (Diskussion) 12:43, 27. Okt. 2004 (CEST))
ECL und I²L
BearbeitenMeiner Meinung nach sollte man noch einen Verweis auf die Emitter-Coupled-Logic ECL und Integrated Injection Logic I²L. (nicht signierter Beitrag von 80.133.221.104 (Diskussion) 11:03, 26. Mär. 2005 (CET))
Unbeschaltete Eingänge
BearbeitenEinerseits steht im Artikel: "Dennoch müssen unbenutze Eingänge der TTL-Schaltkreise auf ein festes Potenzial gelegt werden, damit sichergestellt werden kann, dass der Schaltkreis korrekt arbeitet"
Eine Besonderheit der TTL-Schaltung besteht darin, dass unbeschaltete Eingänge wirken, als lägen sie auf logisch 1.
Wie passt das zusammen? 16. August 2006 19:40 CEST (nicht signierter Beitrag von 194.97.221.14 (Diskussion) 19:35, 16. Aug. 2006 (CEST))
Q2 leitet => Q3 sperrt und Q4 leitet
Bearbeitenmüsste nicht die Basisspannung von Q3 um 0,7V höher liegen als die von Q4? Warum leitet dann Q4 und Q3 nicht? liegt das an der durch "D" erhöhten Emmitterspannung von Q3? (nicht signierter Beitrag von 88.65.72.107 (Diskussion) 21:50, 17. Aug. 2006 (CEST))
Funktionsbeschrieb
Bearbeitenwenn beim aufgeführten NAND-Gatter U1 und U2 auf LOW sind, so kann am Ausgang aber kein LOW anliegen... das wäre nicht eine NAND-Funktion. Evtl müsste das der Beschrieb mit dem Signalverlauf richtig beschreiben. (nicht signierter Beitrag von 147.88.200.112 (Diskussion) 08:41, 2. Jul. 2007 (CEST))
- LOW NAND LOW ergibt aber HIGH. Der Artikel beschreibt es doch korrekt, dass nur wenn an beiden Eingängen HIGH anliegt, der Ausgang auf LOW liegt. Was ist da deiner Meinung nach nicht korrekt? --RokerHRO 11:58, 2. Jul. 2007 (CEST)
Low-Power-Schottky-TTL
BearbeitenDer Satz "Auf die Gatterlaufzeit hat das keinen Einfluss." stimmt gemäss der neusten Auflage (13. Auflage) von "Halbleiter-Schaltungstechnik" von U. Tietze und Ch. Schenk (Springer Verlag) nicht.
Auf S. 622 steht: "Sie [die Speicherzeit] tritt dann auf, wenn man einen zuvor gesättigten Transistor [...] sperrt. [...] Benötigt man schnelle Schalter, macht man von dieser Tatsache Gebrauch und verhindert, dass UCE sat erreicht wird." (nicht signierter Beitrag von 80.218.231.108 (Diskussion) 14:20, 4. Okt. 2010 (CEST))
Standard-TTL: Unterpunkt Funktionsweise
Bearbeiten"...Die UND-Funktion wird durch den Multiemitter-Transistor V1 in Basisschaltung gebildet. Wenn Eingang U1 oder U2 oder beide zusammen auf einen Low-Pegel..."
Ich bin kein Informatiker aber aus der mathematischen Logik wäre diese Aussage falsch. Eine UND-Funktion ist nur dann wahr wenn U1 und U2 beide zusammen wahr sind. Sobald U1 falsch und U2 wahr ist die UND-Funktion falsch. Es dürfte als bei U1 und U2 vs. U1 oder U2 nicht das gleiche Signal weitergehen.
--178.165.204.51 20:11, 2. Jan. 2024 (CET)
- Besser jetzt? -- Pemu (Diskussion) 23:48, 2. Jan. 2024 (CET)
- Ja besser, vielen Dank. Jetzt verstehe ich es. Ich habe irrtümlicherweise low mit dem Wahrheitswert wahr gleich gesetzt. Die Aussage stimmt natürlich wenn man für low den Wahrheitswert falsch setzt. --77.119.218.127 19:15, 3. Jan. 2024 (CET)
- Für mich ist das so selbstverständlich, dass ich eine explizite Erwähnung ("High=Wahr") als komisch empfinden würde. Daher wollte ich nur der Beschreibung, die zurecht (aber zugegebenermaßen verwirrenderweise) vom Low-Pegel als dem Fall, wo etwas passiert, ausgeht, etwas Entgegengesetztes hinzufügen.
- Vielleicht wäre es in der Tat didaktisch sinnvoller, von einem NOR-Gatter in negativer Logik zu sprechen. Aber im Angesicht des dann notwendigen Erklär-Overheads halte ich das letzten Endes nicht für sinnvoll.
- --Pemu (Diskussion) 02:54, 4. Jan. 2024 (CET)
China-TTL hier im knappen Geschichts-Abschnitt sinnvoll?
BearbeitenIch finde die Ergänzung zu China komisch. Da sind vier Sätze zur Geschichte. Einer beschreibt, dass in einer chineischen Hochschule vier Jahre nach Erfindung und zwei Jahre nach Markeinführung auch ein TTL-IC gebaut wird. Warum ist das zur Geschichte von TTL wichtig? Wenn es wichtig ist – warum? So provoziert es die Frage: Wann wurde der erste TTL-IC in BRD, Österreich und Schweiz, wann in Frankreich, der DDR oder der ČSSR gebaut? Auf mich wirkt das eher so, als ob es in einer Artikel zur Geschichte der chinesischen Halbleiterforschung oder -herstellung passend ist. Oder in einem Artikel zu Shanghai oder zur Chinesischen Akademie der Wissenschaften.
Was meint Ihr? -- Pemu (Diskussion) 23:34, 2. Nov. 2024 (CET)