Diskussion:Wafer-Spülverfahren

Abschnitt ergibt wenig Sinn

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Folgender Text im Abschnitt "Heiße DI-Spülung" ist mir heute unangenehm aufgefallen und wurde auch gleich entfernt ([1]):

Nachforschungen haben ergeben, dass der Einsatz von DI-Wasser mit hohen Temperaturen Probleme beim Ätzen von Siliziumoberflächen aufgrund der Oberflächenrauhigkeit verursacht. Hohe Oberflächenrauhigkeiten sind in der Fertigung dünner Schichten in der ULSI-Technologie unerwünscht. Eine andere Bezeichnung dafür (in Verbindung mit der Ablassspülung) ist HQDR (englisch: hot quick dump rinse)

Das ergibt so wie es dasteht wenig Sinn, denn es wird nicht erklärt wie die Oberflächenrauigkeit und die DI-Wasser-Behandlung in Zusammenhang stehen. Auch was denn nun als HQDR bezeichnet wird ist vollkommen offen. --Cepheiden 09:28, 24. Okt. 2009 (CEST)Beantworten

Isopropanol

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Das mit Isopropanol zur Trocknung stimmt schon, denn es entfernt das Wasser und der Wafer trocknet daher extrem schnell. --Cyberhofi 09:32, 2. Nov. 2009 (CET)Beantworten

Kannst du das aus eigener Erfahrung bestätigen, dass dies auch tatsächlich angewendet wird? Bei uns wird dies nicht gemacht. Isopropanol verdrängt zwar das Wasser und verdunstet schneller, aber auch bei hochreinem (VLSI grade) Isopropanol verbleiben oft irgendwelche Rückstände. Meines Wissens wird daher immer nur DI-Wasser in Verbindung mit einer Stickstoffspülung genutzt. --Cepheiden 10:06, 2. Nov. 2009 (CET)Beantworten

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