Diskussion:Floating-Gate-Transistor

Referenzen erschweren das Lesen

Hallo allerseits,

ein kleiner Verbesserungsvorschlag: ein Teilsatz wie "die eine ähnliche Funktion wie bei herkömmlichen IGFETs aufweisen" führt dazu, dass Nicht-Experten wie ich den Begriff IGFET nachschlagen müssen. Das stört den Lesefluss doch erheblich. Ich habe als Übergangslösung einen Link auf die Wikipediaseite über IGFETs hinzugefügt, fände es aber schön, wenn die Funktion von Source und Drain in diesem Artikel (ohne Referenz auf einen anderen Artikel) erklärt würde.

Vielleicht komme ich selbst dazu, so etwas zu schreiben, vielleicht findet sich ja auch ein freiwilliger :)

Viele Grüße.

--Cholewa 09:34, 31. Mär. 2011 (CEST)

? Das Akronym ist doch wenige Sätze zuvor eingeführt und verknüpft worden. Und hier nochmal einen IGFET (oder speziell einen MOSFET) zu erklären, wäre gegen den Grundsatz der Redundanzvermeidung. Oder in welchem Umfang stellst du dir das vor? --Cepheiden 19:14, 31. Mär. 2011 (CEST)

Stimmt, es wäre ein bisschen Redundant. Ich denke bei Formulierungen wie "ähnliche Funktion wie ..." nur, dass es ja hier eine andere Funktion haben muss. Wenn der Unterschied groß wäre, sollte man es hier auch beschreiben. Aber dann wäre das sicher schon geschehen, und deshalb reicht mir jetzt auch der Link, den ich gesetzt habe ;) Grüße, --Cholewa 13:34, 17. Jun. 2011 (CEST)

Tja, keine Ahnung warum, dass der Erstautor so geschrieben hat. Ich wüsste nicht, warum Source und Drain nur eine "ähnliche Funktion" haben sollte. --Cepheiden 16:55, 17. Jun. 2011 (CEST)

Falsche Beschreibung

Hallo,

Ich halte den Text für schlicht falsch!

FGMOS sind im normalfall "enhacement n-channel MOS" Transistoren, d.h. Vt > 0. Sie sperren also wenn man Vds = 0 anlegt (also wenn man 0V ans Gate anschließt).

Desweiteren besteht die auf's FG gebrachte Ladung aus e-, ist also NEGATIV. d.h. Sie schirmt die positive Gate Ladung (zum einschalten) teilweise ab. Dadurch steigt Vt. (Das ist in der Tabelle auch richtig)

Da das Ding ein MOS Transistor ist, leitet er, wenn Vds > Vt.

Um mal ein Beispiel zu machen:

• unprog. Transistor: Vt = 1V
• prog. Transistor: Vt = 1.5V

Man hat jetzt folgende Optionen (drain ist mit Vss verbunden):

• a) man legt ans Gate 0V an => Transistor leitet nicht (egal ob programmiert oder nicht)
• b) man legt ans Gate 1.2V an => Transistor leitet wenn er NICHT programmier ist
• c) man legt ans Gate 2V an => Transistor leitet (egal ob programmiert oder nicht)

Wenn aus den dingern jetzt ein NOR-Flash gebastelt wird, werden a) und b) benutzt, bei NAND-flash b) und c)

MLC NANDs haben auch nur 1 FG, die Schwellspannung Vt wird aber nicht mit nur 2 verschiedenen schwellen eingesetzt, sondern mit 4.

(nicht signierter Beitrag von 134.191.220.71 (Diskussion) 16:53, 25. Jul. 2013 (CEST))

Hallo,

du hast Recht die meisten FGFETs sind Anreicherungs-n-Kanal-MOSFETs, die sich so verhalten, wie du es beschreibst. Die Beschreibung im Text war genau andersherum und einige Zustände kamen nicht zur Sprache. Ich haben den Text umgeschrieben. Ist dies deiner Meinung nach nun in Ordnung? Danke für den Hinweis. --Cepheiden (Diskussion) 15:36, 27. Jul. 2013 (CEST)