Diskussion:Phase-change Random Access Memory

Bei der heutigen Kurzlebigkeit "neuerer" Technologienwäre es dringend notwendig, solchen Artikeln ein Informationsreferenzdatum beizufügen, das aussagt, auf welchem zeitlichen Informationsstand der Inhalt basiert ... Nur dann haben Begriffe wie "ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher" überhaupt eine Bedeutung ... in 20 Jahren ist diese Technologie vielleicht bereits völlig überholt, aber dann wird dieser Begriff noch immer so drinstehen und den Leser verwirren. Es kann nicht Sinn eines Online.Lexicons sein, daß sich der Leser immer selbst über die Versionskontrolle darüber Informiert, von wann der Artikel ist ... und selbst dann ist das ja noch nicht sicher, denn der Autor könnte ebensogut auch einen älteren Text zu einem relativ neuen Datum angelegt haben - wie soll ein Leser das entscheiden? Chiron McAnndra 13:35, 9. Jul. 2008 (CEST)Beantworten

Aktuell ist er neu. Später wird das sicher jemand ändern -- milde 15:34, 6. Jul. 2009 (CEST) (ohne Benutzername signierter Beitrag von Mildmr (Diskussion | Beiträge) )

Entwicklungsstand - Unlesbar

Letzter Kommentar: vor 2 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt

"Im Vergleich zu anderen neuartigen nonvolatilen Speichern in der Entwicklung zeigt das PCRAM ähnliche Erwartungswerte in Bezug auf Performance, Langzeithaltbarkeit und Skalierbarkeit. Die Herausforderung bei diesem Speicherprinzip ist durch den hohen Schreibstrom (RESET state) gegeben: herkömmliche MOS-Transistoren in fertigungsrelevanten Kanallängen (<100 nm für Auswahltransistoren) erlauben nicht wesentlich mehr als wenige hundert Mikroampere zu treiben. Daher wird auf verschiedenen Wegen an der Reduktion des Schreibstroms gearbeitet ..." - versteht das der Autor eigentlich selbst noch? Lesbar ist das jedenfalls nicht. Also bitte noch mal neu - und diesmal verständlich formulieren! --Burkhard 00:43, 22. Apr. 2010 (CEST)Beantworten

Also ich habe es verstanden. Dazu muss man aber den Anfang des Artikels lesen. Es bedeutet, dieser Speicher braucht viel Strom um die Struktur zu ändern und wenn man jetzt aber Miniaturisiert um mehr Speicherzellen auf gleichem Raum unterzubringen, dann sinkt auch der Platz für die Leiterbahnen, die den Strom liefern sollen. --IT-Compiler (Diskussion) 01:29, 31. Mai 2022 (CEST)Beantworten

...Legierungen aus den beiden Verbindungen

Letzter Kommentar: vor 12 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt

Ich hab auch noch eine Anmerkung zu dem Satz: "...Legierungen aus den beiden Verbindungen GeTe und Sb2Te3". Ein Pysiker würde das vielleicht als legierung bezeichnen, weil er es nicht beser weiß, aber als Chemiker grault es mich dbei das zu lesen. Es ist keine Legierung !!! -- 134.245.33.75 14:24, 20. Apr. 2012 (CEST)Beantworten

...sondern? Dies ist ein Wiki => nicht meckern, bequellt korrigieren. LG --Wolffi_disk^RM 16:34, 20. Apr. 2012 (CEST)Beantworten

Vergleich mit anderen Technologien

Letzter Kommentar: vor 8 Jahren1 Kommentar1 Person ist an der Diskussion beteiligt

Hilfreich wäre ein Vergleich mit anderen nichtflüchtigen Speichertechnologien - was sind die Vorteile und Nachteile von Phase Change-RAM ggü. anderen Technologien? (nicht signierter Beitrag von 212.12.45.163 (Diskussion) 10:31, 18. Jan. 2016 (CET))Beantworten

Da gibt es ein paar Neuigkeiten, die im Artikel fehlen

Letzter Kommentar: vor 2 Monaten2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt

https://www.computerbase.de/2024-04/neuer-phase-change-memory-mit-nano-filament-statt-elektrode-soll-es-diesmal-klappen/ --93.229.166.182 00:10, 20. Sep. 2024 (CEST)Beantworten

Was hindert dich daran diese einzuarbeiten? Zumal du ja einen Beleg hast... --2A02:8071:6400:4120:9D32:10AB:51A6:E286 20:17, 28. Sep. 2024 (CEST)Beantworten

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