Portal:Mikroelektronik/Themen

Theorie

Quantenmechanik – Bändermodell – Dotierung – p-n-Übergang – Raumladungszone – Heteroübergang – Dünnschichttechnik

Material

Silizium – Einkristall – Galliumarsenid – Galliumnitrid – Aluminiumgalliumarsenid – Siliziumdioxid – Siliziumnitrid – Germanium – Indium – III-V-Verbindungshalbleiter – II-VI-Verbindungshalbleiter – Low-k-Dielektrikum – High-k-Dielektrikum – PTCDA – MePTCDI – Chinacridon – Perinon – Indanthron – Flavanthron – Perylen – Pentacen

Halbleitertechnik

Reinraum – Czochralski-Verfahren – Zonenschmelzverfahren – Wafer – Die – Chipgehäuse – Spektroskopie – Rasterelektronenmikroskop

Ätzen – chemisch-mechanisches Polieren – chemische Gasphasenabscheidung (CVD) – Dickschicht-Hybridtechnik – Drahtbonden – Epitaxie – Fotolithografie – Galvanik – Ionenimplantation – physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) – Rotationsbeschichtung – Sputtern – Trockenätzen

Entwicklung

Chipentwurf – Digitaltechnik – Floorplanning – Schaltungs- und Systementwurf – VLSI – Synthese – Verilog – VHDL – Validierung

Geschichte und Personen

William B. Shockley

Albert Einstein – William B. Shockley – Jean Hoerni – Jack Kilby – Robert Widlar – Gordon Moore – Percy Williams Bridgman – Leo Esaki – Hiroo Inokuchi

Industrie

Top-Ten der Halbleiterhersteller: Broadcom – Hynix – Intel – Micron Technology – Qualcomm (früher Renesas Electronics) – Samsung Electronics – STMicroelectronics – Texas Instruments – Toshiba

Mooresches Gesetz

Sonstige

Antifuse-Technologie – Elektromigration – Foundry – gestrecktes Silizium – Leistungselektronik