Diskussion:Flash-Speicher/Archiv

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[[Diskussion:Flash-Speicher/Archiv#Thema 1]]

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Überarbeiten

Der Abschnitt zur Funktionsweise benötigt noch eine Überarbeitung bzw Erweiterung: es springen keine Elektronen zum Gate über (Blitz etc), sondern es handelt sich um einen Tunneleffekt. --Kohl 19:48, 29. Jul 2005 (CEST)

Ists so ok? --Harald Wehner 15:46, 25. Nov 2005 (CET)

Können im Flash-Speicher Bytes einzeln beschrieben werden, oder nicht? Im Artikel Flash-Speicher heißt es "Bytes können einzeln geschrieben werden", Im Artikel EEPROM heißt es "EEPROMs können byteweise beschrieben werden. Flash-EEPROMs blockweise (wobei die Blockgröße variiert)". Das passt nicht zusammen. --NilsB 08:45, 10. Aug 2005 (CEST)

Das, was hier steht, stimmt soweit. --Harald Wehner 15:46, 25. Nov 2005 (CET)

allgemeinverständlicher

Ich finde den Artikel zu speziell formuliert. Allgemeinverständlicher wäre er nützlicher. Oliver (nicht signierter Beitrag von 84.132.181.62 (Diskussion | Beiträge) 20:13, 18. Aug. 2005 (CET))

Bin der gleichen Meinung. Als Laie wüßte ich schon mal gerne, wie dieses Ding eigentlich speichert, optisch, magnetisch oder wieder anders. Günter (nicht signierter Beitrag von 217.227.53.215 (Diskussion | Beiträge) 21:56, 3. Okt. 2006 (CET))

Ich habe 1969 mal ein Vordiplom in Physik erworben. Mein Wissen von damals reicht nicht, diesen Artikel voll zu verstehen. Das Wort Tunneleffekt sagt mir zwar etwas, aber durch das Wissen, dass dieser Effekt hier genutzt wird, versteh ich auch nicht mehr. --SonniWP 09:47, 31. Mai 2007 (CEST)

Bezeichnung Flash-EEPROM

Wo soll diese Bezeichnung herkommen? Soweit ich die Entwicklung von FLASH mitbekommen habe, hiesen die Teile früher einfach FLASH-Speicher. Wofür das FLASH steht, weiß ich leider nicht. Aber das -EEPROM hinterher hat gefehlt. Manche Skriblifaxer in Computerzeitschriften haben dann auch noch FLASH-RAM oder FLASH-ROM daraus gemacht, je nach Einsatzzweck. Für mich war das Zeug aber immer einfach FLASH - ohne irgend einen weiteren Zusatz. --Harald Wehner 19:10, 28. Sep 2005 (CEST)

Weder Flash-RAM oder Flash-ROM ist korrekt. Den Speicher nur mit Flash zu bezeichnen mag ja im Alltag ok sein, aber genaugenommen ist es ein EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory - elektrisch wiederbeschreibarer Speicher) in einer speziellen Bauart. --Kohl 20:17, 28. Sep 2005 (CEST)

Hat denn eine Zelle im FLASH den gleichen Aufbau wie ein EEPROM? Wenn ja würd ich den Begriff „EEPROM“ ja akzeptieren. Ich denke aber, mich erinnern zu können, daß eine FLASH-Zelle einen anderen Aufbau wie eine EEPROM-Zelle hat. Oder irre ich? --Harald Wehner 14:32, 29. Sep 2005 (CEST)

Den Begriff Flash-EEPROM gibt es im Englischen nicht. Dort wird Flash Memory also Flash-Speicher geschreiben, auch in den Datenblättern dieser Bauteile wird von Flash Memory gesprochen. Der Begriff Flash-EEPROM ist somit verwirrend, auch wenn es prinzipell richtig ist, dass der Baustein elektrisch lösch- und wieder beschreibbar ist. Jedoch wird durch den Gebrauch der Bezeichung Flash-Speicher auf die unterschiedlich verwendete Technologie hingewiesen. -- Ottacher Harald 17:56, 29. Sep 2005 (CEST)

Da hat uns die Welt gerade überholt: SST bietet Flash-EEPROMs http://www.sst.com/products.xhtml/parallel_flash/28/SST28SF040A wobei es sich offensichtlich tatsächlich um FLASH-Speicher handelt und nicht EEPROMs, da „sector-erasable“. Darüberliegend reden sie aber wieder von FLASH-Memory. Und auch die Bezeichnung mit dem F040 (kein C040 oder so was) weist eindeutig auf FLASH. --Harald Wehner 16:22, 2. Okt 2005 (CEST)

Bin kein E-Techniker

Hi,

und was ist nun der Grund dafür, dass der Speicher ohne Strom so bleibt?

Rovanu 09:40, 20. Jan 2006 (CET)

Wie im Artikel erklärt, wird auf das Floating Gate eine Ladung aufgebracht - oder sie ist nicht drauf, je nach dem, welchen Zustand das Bit eben haben soll. Das Floating Gate ist isoliert gegen die anderen Elektroden des Flash-FETs. Wegen der Isolation kann die Ladung, die aufgebracht worden ist, nur durch den sog. Tunneleffekt dorthin oder von dort weg kommen. Dazu brauchts aber eine hohe Spannung. Ist die Ladung mal dort, so bleibt sie dort, auch wenn die Versorgungsspannung weg ist. Sie kann eben nur durch einen Tunneleffekt wieder weg. Und deshalb bleibt die Information auch da, wo sie hin gehört. --Harald Wehner 17:07, 24. Jan 2006 (CET)

Und ich finde ungefähr so sollte das auch im Artikel stehen. Ich habe mir das, was du da geschrieben hast, so gedacht, aber den Abschnitt zur Funktionsweise wirklich verstanden habe ich nicht. Zumal da auch noch was über die Ansteuerung drinsteht und und und. Irgendwie konfus und mit Fachbegriffen gespickt. --mudd1 17:32, 11. Mär 2006 (CET)

Kann mich da nur anschließen. Zweifellos ist bei einer Festplatte einfacher zu erklären, bzw. auch ein Laie kann noch verstehen, wie dort Informationen abgelegt werden (weil er Magneten aus der Erfahrung kennt, da hilft einem das Bild mit dem Zustand der Elementarmagneten, der eine "1" oder eine "0" repräsentiert), was beim Flash-Speicher sich etwas komplizierter vorzustellen ist. Aber es muss doch trotzdem irgendwie möglich sein, das Speicherprinzip genauso einfach zusammenzufassen. In etwa so, wie Harald es geschrieben hat, sollte es auch irgendwo im Artikel stehen, á la "Ladung = Zustand 1, keine Ladung = Zustand 2", am besten unter einer Extra-Überschrift. --84.184.15.123 17:12, 13. Jun 2006 (CEST)

Endurance

Wie ist die Angabe der Speicherhäufigkeit zu verstehen ? Wenn ich z.B. jedes Byte getrennt beschreiben kann, heisst das, dass mit jedem Schreibvorgang (Löschvorgang ?) die Lebensdauer nur dieser einen Zelle um 1 reduziert wird oder ist ein ganzer "Block" betroffen; sodass z.B. beim Beschreiben von 100 Bytes, die zu einem Block gehören, dieser in seiner Lebensdauer um 100 verringert wurde ? (nicht signierter Beitrag von 84.154.15.80 (Diskussion | Beiträge) 19:40, 1. Feb. 2006 (CET))

Die Firma STMicroelectronics schreibt in einem ihrer Datenblätter: „100.000 program/erase cycles per block“. Also gehe ich davon aus, daß sich solche Angaben auf einen ganzen Block beziehen - also auf das Löschen. Habe ich 100 Byte in einen Block geschrieben und will diese 100 Byte wieder löschen, so muß ich den ganzen Block löschen und vermindere damit die Lebensdauer dieses einen Blocks um 1. --Harald Wehner 17:14, 2. Feb 2006 (CET)

Fehler im Text?

betreffend:

Flash-Speicher sind digitale Speicher(-Chips); die genaue Bezeichnung lautet Flash-EEPROM. Im Gegensatz zu "gewöhnlichem" EEPROM-Speicher lassen sich beim Flash-EEPROM Bytes , die kleinste adressierbare Speichereinheit, nicht einzeln löschen.

Sollte Bytes nicht durch Bit ersetzt werden?

Bin mir nicht sicher, wollte nur fragen

(nicht signierter Beitrag von 84.72.175.159 (Diskussion | Beiträge) 14:58, 18. Feb. 2006 (CET))

Es gibt nur wenige Speicher, bei denen man Bits adressiert. Der Normalfall ist schon, daß mehr wie ein Bit adressiert wird. Bei alten RAMs gabs meines Wissens mal die Bit-Adressierung. Aber beim FLASH sinds meistens die Bytes, manchmal auch mehr, manchmal auch nur ein Halb-Byte (vier Bit). Nennt sich dann „Wort“ (bis auf das Halb-Byte) und geht über zwei oder vier Byte. Man spart sich so Adressierungs-Leitungen. --Harald Wehner 23:09, 19. Feb 2006 (CET)

Nebensätze und Appositionen

ja, hier gibts ja reichlich nebensätze und appositionen. sind schöne erfindungen - könnte man meinen. ich wollte mir im artikel nur kurz durchlesen, wie ein flash-speicher speichert. aber bereits im ersten satz vergeht mir dermaßen die lust weiterzulesen. das ist echt heftig. hier muss so einiges entschachtelt werden: weniger klammern, weniger nebensätze, weniger kommas ^^. -- Brightster 03:06, 9. Apr 2006 (CEST)

nachtrag... nun gut: es ist dann doch der zweite satz unter funktionsprinzip ;-). na jedenfalls fehlt unter funktionsprinzip überhaupt ein einstieg. da muss noch sowas hin wie flash-speicher beruht auf dem system von...schlagmichtot.....oder im gegensatz zu festplatten...bladingenskeks... . aber dann muss auch gleich ganz kurz kommen wie gespeichert wird. da wäre ich mit meiner kurzen informationslücke schon zufrieden gewesen. der artikel ist vollgepackt mit wissen - das ist echt gut. aber der output ist nicht so gelungen. -- Brightster 03:13, 9. Apr 2006 (CEST)

Usb-Stick im Betrieb abziehen

hallo, mal eine ganz andere Frag. wieso darf man den usb-stick nicht einfach aus dem slot ziehen: bisher habe ich zwei versionen gehört, von denen mir die eine einleuchtet, die andere nicht. die mir einleutchtende: Dadurch, dass der stick auch mit strom versorgt wird führt der "stromabriss" evt. zu überspannungen, die die daten ggf. beschädigen und damit unleserlich machen können. die mir nicht einleuchtende: das speichermedium selbst soll dadurch geschädigt werden, so dass entweder der ganze stick unbrauchbar wird, zumindest aber eine teilkapazität. wer weiss die antwort?? (nicht signierter Beitrag von 80.135.152.37 (Diskussion | Beiträge) 217:14, 23. Sep. 2006 (CET))

Das mit dem "stromabriss" oder Überspannung schädigt kein Usb-Gerät, weil die Usb-Schnittstelle so ausgelegt ist, das man jederzeit ein-/ausstöpseln darf. Der Grund liegt im Dateisystem. Das ist meist Fat32 und verträgt es nicht während des Schreibens unterbrochen zu werden. Anders ein Journaling Dateisystem wie ext3, ReiserFS oder NTFS. Außerdem muss das Betriebssystem noch den Cache leeren. Alex42 19:52, 24. Okt. 2006 (CEST)

Das sind alles richtige Gründe. Darüber hinaus gibt es noch eine eklige Eigenschaft von Flash-Speichern: Beim Schreiben kann es vorkommen, dass ein ganzer Datenbereich zwischengespeichert, dann gelöscht und dann wieder neu (verändert) geschrieben wird. Siehe Artikel, warum. Wenn nach dem Teil mit dem Löschen plötzlich der Strom weg ist, dann is Essich mit die Daten. --Mudd1 02:51, 25. Okt. 2006 (CEST)

Ein journling-Dateisystem kann vielleicht die Beschädigung des Dateisystems selbst bei unterbrochenen Schreibvorgängen verhindern, jedoch nicht Datenkorruption. --MrBurns 01:36, 4. Apr. 2008 (CEST)

Wer soll das verstehen?

...ehrlich gesagt, ich war nach dem Lesen dieses Artikels kein bisschen schlauer. Ich bin technisch schon versiert, aber dieser Text ist wahrscheinlich von/für Techniker geschrieben. Ich fände es klasse, wenn man zugunsten des Verständnisses für Laien das Prinzip des Flash-Speichers einfacher/ allgemeiner erklären könnte und dann die Details und Fremdwörter in Unterkategorien "aufdröselt".

Ich bin der Meinnung, dass der Text so wie er jetzt ist, keinem wirklich weiterhilft.

(nicht signierter Beitrag von 213.168.117.219 (Diskussion | Beiträge) 09:52, 14. Mär. 2007 (CET))

Bitte lies dir das eben geschriebene Flash-Speicher#.C3.9Cberblick durch und sag mir, ob du immer noch nicht verstehst, was ungefaehr vor sich geht. Die quantenmechanische Voodoo-Zauberei zu erklaeren, die hinter Flashspeichern steckt, kann der Artikel natuerlich nicht leisten, da muesstest du dich entweder bei den Leute vom Tunneleffektartikel beschweren oder den Deppen, der sich ausgedacht hat, dass das Universum nur mit klassischer Mechanik nicht funktioniert. --Mudd1 11:18, 14. Mär. 2007 (CET)

Frage: Blockweises Löschen und Löschspannung

Hallo, habe mich genauer mit der Funktionsweise beschäftigt, und Artikel enthält wichtige Angaben, finde ich. Da steht, das es implementierungsabhängig ist, ob der geladene oder ungeladene Zustand des Floatig Gate ne 1 oder 0 repräsentiert. Weiterhin bedarf es einer hohen Spannung (10-18V) um das Floating Gate zu laden, steht auch so im Artikel: damit die Elektronen tunneln können, brauchen Sie hohe Spannung. Habe erfahren, das die Löschung nur blockweise geschehen kann, weil die Löschspannung so hoch ist (10-18V)? Also müsste doch der geladene Zustand des Floating Gates eigentlich für das System immer eine 0 repräsentieren (gelöscht) oder? In der Beziehung könnte der Artikel noch genauer werden. (nicht signierter Beitrag von 172.177.103.141 (Diskussion | Beiträge) 12:39, 9. Dez. 2006 (CET))

Ein Artikel kann meistens „noch genauer“ sein. Das Problem dabei: Er wird dann einfach zu lang. Zum Thema: Es ist eben implementierungsabhängig, ob der geladene Zustand des Floating Gate eine 0 oder eine 1 repräsentiert. Beschrieben ist die Geschichte mit der 0. Ich selbst hab bislang immer nur mit Teilen zu tun gehabt, die mit der 1 funktionierten. Da ist der gelöschte Zustand dann als 1 vorhanden. „Programmieren“ tut man dann also 0. Wenn die mal drin ist, ist sie drin, bis zum Löschen. (Da hatte ein unbedarfter Kollege letzte Woche seine Probleme...) „Löschen“ heißt in diesem Zusammenhang auch „nur“, in eine Grundstellung bringen. Das „Schreiben“ ändert dann „nur“ diese Grundstellung. Und ob eine 0 geschrieben wird oder eine 1 ist letzendlich ja irrelevant.

Ich habe keine Ahnung, wie man die unterschiedlichen Implementierungen voneinander unterscheiden kann, resp. wo eine Implementierung mit der 0 als gelöschtem Zustand überhaupt vorkommt. Das kommt aber davon, daß ich sehr einseitig mit embedded Flash herumturne, früher auch mal mit NOR-Varianten. Da war aber immer die 1 der gelöschte Zustand. Vielleicht ist bei NAND-Typen die 0 implementiert? Oder bei anderen Herstellern? Da könnte vielleicht mal ein Halbleiterspezialist mehr dazu sagen. --Harald Wehner 22:51, 10. Dez. 2006 (CET)

Vielen Dank für die Antwort. Ich glaube, ich habe den Begriff Löschspannung etwas zu eng betrachtet. Auf den Stromfluß bezogen ist es insofern eine Löschspannung, weil bei Anlegen derselben das Floating Gate geladen wird, und somit sich die Teilchen abstoßen und kein Strom mehr fließt (kein Strom=Löschung). Wie das System diesen Zustand des nicht-fließenden Stroms bzw. des geladenen Floating Gates interpretiert bleibt ja, wie schon gesagt, implementierungsabhängig... (nicht signierter Beitrag von 193.175.236.173 (Diskussion | Beiträge) 12:14, 11. Dez. 2006 (CET))

So im Nachgang betrachtet setze ich dazu: Wenn ich es richtig sehe, geht es weder um Strom noch um Spannung - es geht um Ladung. Da kommt beides zusammen. Ohne Spannung: Keine Verschiebung der Ladung. Bei Verschiebung der Ladung: Strom. Bei Anwesenheit von Ladung und zu wenig Spannung: Kein Strom. Wie ich es in meiner Vorstellung drehe: Immer kommt die Ladung hervor. Also ist der zentrale Begriff der Speicherung im Flash (und auch im EEPROM) der Begriff der „Ladung“. Vielleicht kann ein Halbleitertechnologe mal mehr dazu sagen. --Harald Wehner 23:35, 18. Dez. 2006 (CET)

Begrenzte Zahl von Schreibzyklen

Warum ist die Zahl der Schreibzyklen begrenzt?--Uwe W. 19:10, 10. Jan. 2007 (CET)

Aus dem Artikel: "Bei einem Löschzyklus durchtunneln die Elektronen die Oxidschicht. Dafür sind hohe Spannungen erforderlich. Dadurch wird bei jedem Löschvorgang die Oxidschicht, die das Floating-Gate umgibt ein klein wenig beschädigt (Degeneration). Irgendwann ist die Isolation durch die Oxidschicht nicht mehr gegeben und die Elektronen bleiben nicht mehr auf dem Floating-Gate gefangen und die auf der Speicherzelle gespeicherte Information geht verloren." Kannst du genauer sagen, was daran unklar ist, dann koennte ich vielleicht versuchen, die Stelle verstaendlicher zu formulieren. Momentan faellt mir aber nichts ein, was gleichzeitig weniger Vorwissen erfordert und trotzdem vom Informationsgehalt ueber "Lange benutzen macht Chip kaputt" hinaus geht ;) --Mudd1 11:22, 14. Mär. 2007 (CET)

GB/cm³)

Was soll diese Maßzahl - welche Vergleichsgrößen in welcher Technologie soll man dazu haben? --SonniWP 09:38, 31. Mai 2007 (CEST)

Soviel ich weiß wurde diese größe schon bei anderen Massenspeichern, z.B. bei Festplatten verwendet und zwar ebenfalls bezogen auf das gesamte Volumen im Gehäuse. Allerdings wird bei Festplatten meistens in GB/cm² gerechnet, bezogen entweder auf die gesamte auslesbare Plattenoberfläche von allen Platten zusammen, oder nur auf die Grundfläche der Platten (letzteres ist teilweise nur 1/10 von ersterem, weil bis zu 5 Platten mit je zwei Leseköpfen, einem oben und einem unten, eingesetzt werden). --MrBurns 04:13, 14. Dez. 2007 (CET)

Anzahl der Löschzyklen

Im Artikel steht

Laut einem Test der c't wurde ein USB-Stick 16 Millionen Mal beschrieben

(immer auf dieselbe Datei), ohne das ein Fehler auftrat. Dies bedingt jedoch ein gutes :::Defektmanagement des Sticks.

Jedoch wird dabei verschwiegen, dass der Controller eines USB-Sticks beim Schreiben einer Datei deren Daten so auf Speicherblöcke verteilt, dass die Abnutzung möglichst gleichmäßig ist. Wenn ich also 16 Millionen Mal eine 512 Byte (=1 Sektor) große Datei auf einen 1GB-Stick schreibe, wurde ein beliebiger Sekteor eben nicht 16 Mio. mal gelöscht sondern nur ~15 mal (16000000000 / (1024*1024*1024)). Desweiteren ist aus diesem Grund auch ein Defragmentieren eines Flash-Speichers nicht möglich. --Peter (nicht signierter Beitrag von 84.168.65.207 (Diskussion | Beiträge) 23:39, 14. Aug. 2007 (CET))

Ein "Defragmentieren" eines Flash-Speichers ist auch reichlich ueberfluessig. Bei einer Festplatte ist es bloed, wenn der Kopf zum Lesen einer Datei viel umherspringen muss. Bei einem EEPROM springt aber nichts. --Mudd1 10:23, 15. Aug. 2007 (CEST)

Wäre es nicht noch ganz gut anzugeben, wieviel Platz der USB-Stick bot? Aus dem Grund den Peter bereits beschrieb ist das relativ wichtig für diesen Satz.. (wenn ich das ganze jetzt nicht total falsch verstanden hab) Genauso wichtig ist sicher auch, wie groß die Datei war.. Eine 1kb Datei auf einem 16 GB Stick immer wieder zu schreiben ist sicher keine große Kunst, da diese 1KB ja schön verteilt werden. Eine 256mb Datei auf einen 256mb Stick immer wieder neu zu schreiben, würde jedoch wieder total andere Werte liefern. Ich bin der Meinung, dass da mehr Informationen zu dem Satz gehören, oder wenigstens ein Link auf den Artikel/Diskussion dazu. Derzeit sehe ich in diesem Satz aus genannten Gründen 0 Informationsgehalt. 89.247.91.246 04:12, 7. Okt. 2007 (CEST)

Bezeichnung der Chips

Es wäre sehr interessant wenn der Artikel auch darüber Auskunft geben koennte, wie Flash-Speicher in der Praxis bezeichnet werden d.h. wie man den Speicher (z.B. eines Mobiltelefons) von den anderen Chips unterscheiden kann. (alle sind schwarz und haben kryptische aufdrucke) - woher weiss der Fachmann (ohne interne Herstellerkenntnisse) was ist ein Flash-Speicher und was ein Mikrokontroller usw. ? Kooopik 14:23, 30. Aug. 2007 (CEST)

Du meinst sicher 28Fxxx, 29Fxxx, 29Cxxx, Samsung K9K* mit xxx = KBit/MBit. Ich weiß allerdings nicht, ob jeder Hersteller sich an diese Typenbezeichnungen hält. Samsung ist hier zum Beispiel schon eine Ausnahme. - Appaloosa 16:02, 30. Aug. 2007 (CEST)

Source-Drain-Strecke, Floating Gate, Steuer-Gate u.v.a. mehr: ein saumäßiger Artikel

Dieses Kauderwelsch verstehe ich einfach nicht. Vielleicht hätte ich eine Chance, wenn dieser englisch-deutsche Begriffs-Wirrwarr wenigstens vollständig ins Deutsche übertragen würde. Doch auch daran habe ich meine erheblichen Zweifel. Der Autor war einfach zu faul, zu arrogant oder zu unfähig, sein englisch-deutsches Kauderwelsch in verständliche Sätze zu übersetzen.

Möglicherweise versteht er selbst nicht wirklich, was er sagt. Der fehlende Link zu "Source-Drain-Strecke", einem Begriff, den er gleichwohl benutzt, weist in diese Richtung: wüsste er, wovon er redet, hätte er den Link mit Inhalt gefüllt. Von einem Artikel zum Stichwort erwartete ich jedoch ohnehin, dass auftauchende neue Fachbegriffe zunächst INNERHALB des Artikels zunächst kurz - und deutsch - erklärt würden, bevor dann mit einem Link auf weiter führende Erläuterungen verwiesen würde.

Hier ist jedoch weder das eine noch das andere vorhanden.

Linguistisch hieße das: Mit inhaltlich nicht gefüllten Versatzstücken werden grammatisch korrekte Gebilde erzeugt, die folglich überhaupt gar nichts bedeuten. Die Sätze dieses Artikels sind von der Struktur:

Querzus sind Warias, die sich kanonam verhalten, solange sie yertzi sind. Andernfalls sind sie kwandum.

Der Artikel ist also schlicht saumäßig.

(nicht signierter Beitrag von Gceschmidt (Diskussion | Beiträge) 00:45, 11. Dez. 2007 (CET))

Und so könnte man auch deine Kritik bezeichnen. Wie du aus der vorhergehenden Diskussion hättest ersehen können, wurde das von dir so konstruktiv angerissene Thema „fehlende Verständlichkeit” bereits besprochen. Du hättest also meine immer noch offen im Raum stehende Frage aufgreifen können, ob der Abschnitt „Überblick”, den ich zu schreiben begonnen habe, die Verständlichkeit erhöht. Dass später im Artikel Abschnitte kommen, die nicht mehr jeder versteht, ist nicht nur bei Artikeln über elektronische Bauteile nicht ungewöhnlich. Ebensowenig wie englischsprachige Fachausdrücke ungewöhnlich sind. Die von dir angesprochenen Begriffe sind darüber hinaus alle im Feldeffekttransistorartikel erklärt, auf den vorher verlinkt wird. Wenn du fehlende Links entsprechend ergänzen oder umbiegen willst, bist du natürlich herzlich willkommen. Wenn du hier nur Kritik üben willst auch, allerdings wäre der Autor des englisch-deutschen Kauderwelschs wahrscheinlich entzückt, wenn du in Zukunft davon absehen könntest Wörter wie „faul”, „arrogant”, „unfähig”, „saumäßig” und Verwandtes in deine Kritik einzuflechten. Stattdessen könntest du vier Tilden in das Ende deiner Beiträge einflechten. --Mudd1 10:55, 14. Mär. 2008 (CET)

Demonstration des Unsinns

Am Beispiel des ersten Abschnitts, des "Überblicks", möchte ich zeigen, wie miserabel der Unsinn dieses Artikels ist:

"Überblick: Bei einem Flash-EEPROM werden Bits in jeweils einem Floating Gate genannten Transistor gespeichert (bei neueren Speichern auch mehrere Bits pro Gate, da verschiedene Ladungszustände benutzt werden), der von der Stromzufuhr durch eine Schicht eines Isolators abgeschnitten ist, sodass dort gespeicherte Ladung nicht abfließen kann. Eine Änderung des Ladungszustands kann nur mithilfe des quantenphysikalischen Tunneleffekts geschehen, der es den Elektronen erlaubt, den eigentlichen Nichtleiter zu passieren."

"Bei einem Flash-EEPROM werden Bits in jeweils einem Floating Gate genannten Transistor gespeichert" - abgesehen davon, dass es besser hieße: "in einem Transistor gespeichert (Floating Gate)", fragt man sich bereits im Überblick, wozu sie dort gespeichert werden und warum nicht anderswo? Dieser Transistor ist "von der Stromzufuhr ... abgeschnitten" - naja - und warum? Eine Änderung des Ladungszustandes könne nur durch den quantenphysikalischen Tunneleffekt überwunden werden. Hochinteressant. Aber warum macht man das? Was bringt es?

In den Überblick gehört an erster Stelle, was diese bestimmte Technik vor anderen, älteren, auszeichnet, was sie diesen gegenüber an Mehr leistet, und welche Technologie - grob dargestellt - zu dieser Mehrleistung führt. In die weiter führenden Abschnitte gehören dann Sachen wie der Tunneleffekt, Isolationstechniken und anderes, d.h. die Darstellung der einzelnen technischen Détails, die zu dieser Mehrleistung notwendig sind. Man beginnt nicht mit - einigen - technischen Détails im Überblick, deren Bedeutung dem Leser zu diesem Zeitpunkt noch überhaupt nicht klar sein kann. Vielmehr erklärt man zunächst, worum es geht - und erläutert sodann die Détails.

Würde mir im normalen wissenschaftlichen Alltag eine Arbeit wie diese vorgelegt, bekäme sie schon aus formalen Gründen eine Note zwischen 4 und 5.

(nicht signierter Beitrag von Gceschmidt (Diskussion | Beiträge) 01:14, 11. Dez. 2007 (CET))

Nee, falsch. Die Formulierung ist tatsächlich etwas holprig. Das ist ein Transistor mit einem Floating Gate. Die Begriffe Source, Gate und Drain bei einem Feldeffekttransistor werden im Deutschen nicht übersetzt, im Artikel folgen etwas ausführlichere Erläuterungen zwei Sätze weiter. Und wozu sie gespeichert werden? Das ist doch schließlich der Zweck der ganzen Bemühungen, wir wollen Bits speichern. --PeterFrankfurt 02:18, 11. Dez. 2007 (CET)

Auch wieder zugegebenermaßen holprig: Nicht der ganze Transistor ist abgeschnitten, nur das Floating Gate, daher auch das "Floating" in seinem Namen. Es soll sich eben nicht über irgendeinen Anschluss entladen können, die Ladung ist schließlich der zu erhaltende Speicherinhalt. --PeterFrankfurt 02:18, 11. Dez. 2007 (CET)

Nein, zuallererst muss dort stehen, was das Teil macht und in Grundzügen auch schon wie. Details dazu dann im weiteren Text. Vergleiche und Einordnungen ins Umfeld sind erst anschließend sinnvoll. --PeterFrankfurt 02:18, 11. Dez. 2007 (CET)

So, ich habe das jetzt etwas umformuliert. --PeterFrankfurt 02:26, 11. Dez. 2007 (CET)

Wie ich es liebe, wenn Leute einfach ihren beleidigenden und überheblichen Senf auf die Diskussionsseite kotzen, ohne vorher gelesen zu haben, ob sich vielleicht jemand konstruktive Kritik zu dem Abschnitt ausgebeten hat, den sie da gerade zerreißen. Wie man also den Wunsch dazu vorausgesetzt sehen kann, ist der Abschnitt „Überblick”, den ich geschrieben habe, ohne zugegebenermaßen ein Experte für Flash-Speicher zu sein, ein erster Versuch, den danach folgenden Abschnitt, der nur für Experten verständlich ist und für alle anderen auch weitestgehend irrelevant, aufs Wesentliche zusammenzudampfen. Da er sich unter dem Punkt „Funktionsweise” befindet, denke ich nicht, dass es an dieser Stelle angebracht wäre, zu wiederholen, was in der Einleitung stehen sollte und Flash mit anderen Speichern zu vergleichen und zu sagen, worum es überhaupt geht. Und wenn du dir mehr Informationen in der Einleitung gewünscht hättest, hättest du das ja auch einfach sagen können. Nach dem Lesen deines Rants scheint es mir so zu sein, dass du aber überhaupt nicht bemerkt hast, dass sich das Wort „Überblick” auf die Funktionsweise bezieht. Ich kann nur hoffen, du liest die wissenschaftlichen Arbeiten, die dir alltäglich vorgelegt werden, gründlicher als diesen Artikel. --Mudd1 10:44, 14. Mär. 2008 (CET)

PS: Was ist denn deiner Meinung nach eigentlich – grob dargestellt – die Technologie, die die Mehrleistung eines Flashspeichers erlaubt, wenn nicht der Umstand, dass der Strom nicht abfließt? (nicht signierter Beitrag von Mudd1 (Diskussion | Beiträge) 10:55, 14. Mär. 2008 (CET))

PPS: Und was sagt man in deinem wissenschaftlichen Umfeld eigentlich zu Arbeiten, die ohne Namen abgegeben werden?

Speicherkapazität

Hallo,

"Im dritten Quartal 2007 liefern mehrere Hersteller (Samsung, Toshiba und andere) NAND-Flash-Speicher mit 16 Gigabit, NOR-Flash-Speicher erreicht zur gleichen Zeit 1 Gigabit Speicherkapazität."

Irgendwie stimmt das nicht? Ich kenne schon USB Sticks mit 4 Gigabyte (Also 4 Mrd. Byte). Aber der "größte" NAND Speicher soll nur 2 Gigabyte groß sein? Werden dann zwei Speichermodulle zusammenverbaut?

Oder verstehe ich das nur falsch?

MfG
XZise 20:04, 27. Jan. 2008 (CET)

Es ist allgemein üblich für höhere Kapazitäten mehrere Chips zu verwenden. --TheBug 21:16, 27. Jan. 2008 (CET)

Okay ;) Dann hat sich das damit erledigt :) --XZise 22:36, 27. Jan. 2008 (CET)

Daraus resultiert auch immer der rasante Preisverfall, wenn die Speicherdichte stiegt, so dass man die Zahl der Chips halbieren kann. Die Kosten pro Chip sind halbwegs gleich, egal wie viel drauf ist, da geht es nur um die Siliziumfläche. Chipgehäuse sind auch ein wesentlicher Kostenfaktor, ergo weniger Chips weniger Kosten. --TheBug 23:10, 27. Jan. 2008 (CET)

Jupp, mehrere Module, siehe z. B. die Weblinks bei Multi-Chip-Modul. --PeterFrankfurt 00:48, 28. Jan. 2008 (CET)

Speichergröße

Also um den aktuellen Editwar auf eine breitere Diskussionsbasis zu stellen: Bei (einzelnen) Speicherchips ist es tatsächlich üblich, deren Kapazität in Bits und nicht in Bytes anzugeben. Andererseits bin ich bei der Textfassung mit den 16 Gigabit auch etwas skeptisch, ob das nicht mittlerweile überholt, sprich zu wenig, ist. --PeterFrankfurt 01:10, 5. Sep. 2008 (CEST) Das ist nicht mehr aktuell, aber es wird da der Stand von 3Q 2007 angegeben. Aktuelle Zahlen müssten mal nachgetragen werden. Das ändert aber nichts daran, dass die Angabe so wie sie da steht korrekt ist. TheBug 09:45, 5. Sep. 2008 (CEST)

Beschreibung

Bitte lasst diese Beschreibung an dieser Stelle, weil hier eindeutig der Speicher selbst beschrieben wird und nicht NUR der Speichervorgang darauf. (nicht signierter Beitrag von Jomeier (Diskussion | Beiträge) 16:28, 13. Jan. 2005 (CET))

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. -- Cepheiden 11:20, 25. Mai 2009 (CEST)

Zitat

Dieser Artikel wird in der FAZ] zitiert.--TUBS was? 13:18, 27. Okt. 2007 (CEST)

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. -- Cepheiden 11:09, 2. Jun. 2009 (CEST)

Quellenangaben

Bei den Referenzen sind die beiden heise-Artikel doppelt referenziert, man sollte bei der Referenzierung nur einmal die Quelle angeben und bei der zweiten Referenz auf die erste Fußnote verweisen.PAB 17:09, 12. Dez. 2008 (CET)

Auf welche Artikel beziehst du dich genau? Ich kann keine falsche Doppelreferenzierung entdecken, eventuell wurde es schon behoben. --Cepheiden 11:14, 2. Jun. 2009 (CEST)

Programmierung und Löschung

Hallo!

Ich bin mir noch unsicher ob ich die Funktionsweise des Flash-Speichers nun richtig verstanden habe... mit dem deutschen und dem englischen Artikel konnte ich das nun so interpretieren:

Ungeladner Zustand:

Strom kann auf der Source Drain Strecke fließen Programmieren:

auf dem Steuergate wird eine positive Ladung(Defektelektronen, Löcher) angelegt Elektronen von der Source Drain Strecke tunneln hinauf auf das Floating Gate.

geladener Zustand:

Nun ist das Floating Gate negativ geladen und setzt der Source Drain Strecke einen Widerstand entgegen welcher reicht um den Stromfluss zu unterbinden(bzw stark zu drosseln). das wäre zum Beispiel eine binäre 1

Löschen:

nun wird eine hohe negative Ladung an das Steuergate angelegt welches die Elektronen aus dem Floating Gate auf die Source-Drain-Strecke austreibt.

Die Oxid Schicht zwischen dem Floating Gate und der Source Drain Strecke degeneriert weil hier auch die Elektronen tunneln.

hab ich das so richtig verstanden?

Mit freundlichen Grüßen Fabian --Daydreamer1986 23:07, 22. Mär. 2009 (CET)

Hallo, leider keine Antwort, auch nur Verständnissuche...

Eine Anmerkung: Den Abschnitt "Speichern und Lesen" finde ich unsystematisch. Der Speicherungsprozess wird eingangs explizit beschrieben. Aber welche geschilderten Prozesse gehören zur Datenauslese? Und Löschen erfolgt also - wie ich es verstehe - via Tunneln der Elektronen durch die Oxidschicht. Demnach müsste der Abschnitt auch mit "Speichern, Lesen und Löschen (der Daten)" übertitelt sein. Zum Folgeabschnitt könnte dann ja am Ende übergeleitet werden.

@Daydreamer: Warum muss die Oxidschicht durch das Tunneln degenerieren? Wenn sie eine Potentialbarriere darstellt (sie soll ja auch isolieren) kann diese doch quantenmechanisch ohne eigene Beeinflussung untertunnelt werden, oder? --Physiosoziologicus 11:31, 22. Mai 2009 (CEST)

Die Isolatorschicht (in der Regel ein Oxid, meist Siliziumdioxid) degradiert durch die Elektronen die durch das Oxidtunneln. Tunneln bezeiht sich hierbei auf die Potentialbarriere die das Oxidausbildet. Die Elektronen wechselwirken aber mit den Atomen der Oxidschicht (Stöße usw.). Was untertunneln sein soll versteh ich nicht. Ich werd wohl mal den Artikel lesen müssen, um mir ein Bild von der Erklärung zu machen. --Cepheiden 16:22, 22. Mai 2009 (CEST)

Hmm, mit untertunneln meinte ich (kommt nicht aus dem artikel; glaube ich habe es an der uni aufgeschnappt), dass qm-teilchen eine potentialbarriere doch durchdringen können, ohne diese selbst zu verändern? So habe ich es zumindest bislang verstanden. Hier hieße das ganz doch vor allem, dass sich die isolierende oxidschicht andernfalls chemsich verändern würde -- sollte das im normalbetieb eines sticks wieder rückgängig zu machen sein? Aus der überlegung heraus habe ich angenommen, dass, die schicht selbst m.o.w. unverändert bleiben muss, um ihre funktion weiter zu erfüllen.--Physiosoziologicus 10:41, 25. Mai 2009 (CEST)

Also die Tunnelung des Elektrons durch das Isolationsmaterial (meist SiO2) geschieht in der Regel natürlich ohne (größere) Veränderungen des Dielektrikums. Nur wenn der Prozess mehrere Millionenmal geschieht kommt es natürlich auch zu geringen Wechselwirkungen mit den Atomen (an beiden Grenzflächen, im Dieelktrikum, im Floting-Gate)und schlussendlich auch zu einer Veränderung/Schädigung. Die Elektronen besitzen ja eine deutlich erhöhte Energie durch das starke elektrische Feld und die Dielektrikum-Schicht ist nur wenige Nanometer dick, irgendwo muss die Energie ja bleiben. Und dann tunnelnen ja auch nicht alle Elektronen, wa sist mit denen die nicht tunneln, wo bleibt deren Energie? Die Änderungen müssen auch nicht zwangsläufig chemisch sein. So ist die SiO2-Schicht ja amorph, hier können sich die Bindungswinkel ändern und somit die Dielektrizitätszahl, oder es bilden sich bevorzugte Kanäle für die Elektronen. Und zig andere Mechanismen können wirken. Welche nun die Hauptursache für die alterung von solchen Zellen ist, kann ich nciht sagen. Wäre aber mal interessant. --Cepheiden 11:19, 25. Mai 2009 (CEST)

Warum ist nur blockweises Löschen möglich?

Es wird im Artikel soweit ich das Überblicke nie gesagt, warum nur blockweises Löschen möglich ist. Ist dies eine reine Konsequenz der Beschaltung oder gibt es dafür einen grundlegenden, physikalischen Grund? Auch wenn ein möglicher physikalischer Grund vermutlich über den Rahmen einer Enzyklopädie hinaus geht, sollte man doch zumindest grob sagen was Sache ist, schließlich ist dieses blockweise Löschen DAS Charakteristikum für Flash. Mest 09:13, 3. Feb. 2009 (CET)

Soweit ich weiß ist es die Beschaltung. Die Flash-Speicher sind ja nur so und so oft beschreibbar, und damit eine möglichst gleichmäßige Abnutzung aller Speicherzellen gewährleistet wird. Werden Daten auch bei einer neuspeicherung einer Datei immer in andere Zellen/Blöcke geschrieben, so dass nicht Zellen mit häufig geänderten Daten schneller beschädigt werden. Diese Umschichtung macht der Controller. Um dabei den Überblick nicht zu verlieren, werden die Speicher in Blöcke eingeteilt. Korrigiert mich wenn ich damit falsch liege. --Cepheiden 11:18, 2. Jun. 2009 (CEST)

Nee, da muss was anderes dahinterstecken. Am schonendsten wäre es doch, wenn man nur das eine Byte löschen müsste, das man wirklich ändern will, und nicht tausende andere immer gleich mit. (Bei herkömmlichen EEPROMs geht es ja so, oder zumindest wortweise.) Vielleicht sind die Löschspannungen so relativ immens hoch, dass die Effekte zwangsläufig auf größere Entfernungen, also immer gleich über mehrere Bitzellen hinweg, wirksam werden. Das ist jetzt aber reine Spekulation meinerseits. --PeterFrankfurt 01:14, 3. Jun. 2009 (CEST)

Naja, da steckt nicht viel mehr hinter. mannmuss natürlich auch beachten, dass das Löschen recht lange dauert und es dann eine Geschwindigkeitsvorteil bringt, wenn man mehrere Zellen (also Blöcke) gleichzeitig löscht. Es ist definitiv eine Ansteuerungs- und Optimierungsfrage und nicht eine zu hohe Löschspannung die sich nicht auf nur eine Zelle begrenzen lässt. --Cepheiden 08:12, 3. Jun. 2009 (CEST)

"Nachteile" teilweise unzutreffend:

"Mit flüchtigem Speicher wie RAM (Random-Access Memory) kann die Flash-Technologie trotz eines geringeren Preises pro Gigabyte nicht konkurrieren, da die erreichbaren Datenraten bei Flash deutlich geringer sind. Außerdem ist Zugriffszeit bei NAND-Flash für Lese- und Schreibzugriffe deutlich größer. Bei NOR-Flash trifft dies nur auf die Schreibzugriffe zu."

Vorweg zur Form: Besteht ein Absatz aus einer Ansammlung einzelner Punkte, dann sollte das lesende Auge auch durch eine entsprechende GLIEDERUNG unterstützt werden. Die Punkte sollten nicht zu einem amorphen Klump zusammengematscht werden, der zwangsläufig unübersichtlich ist. [Für "Vorteile" gilt das Gleiche.]

Inhaltlich: Mit seinem Geschwindigkeitsfetischismus - der wohl ein Milieuschaden ist im PC-Sektor - vergalloppiert sich der Autor hier; deshalb sollte hier noch mal klargestellt werden: NICHT jede Anwendung ist zeitkritisch!

So könnte ich mir eine Flash-Karte (heute für 6 € für 2 GB angeboten gesehen; wohl die NAND-Sorte) z. B. in Kombination mit einem "digitalen Bilderrahmen" (angeboten für 29 €) gut als einfaches e-Buch-Lesegerät vorstellen: mit ihrem Prozessor könnte die Karte leicht nicht nur die LTextdaten, sondern auch ein BS mitsamt Zeichensatz, Font(s) und - als RAM-Ersatz - den nötigen Arbeitsplatz beherbergen; dort wird die folgende Textseite aufgebaut, während noch auf einer Seite gelesen wird, und auf Tastendruck hin dann dem d.B. als neues "Bild" zugeschoben. Dabei wird der Preis für die d.B. in den nächsten Jahren mit Sicherheit noch erbeblich sinken. So könnte man auch in armen, ziemlich entlegenen Gegenden zumindest Literatur verfügbar machen, aber auch Sachbücher, soweit sie nicht grafisch zu befrachtet sind. So könnte z. B. ein Kind in manchem indischen Dorf sich den Inhalt auf dem nächsten verfügbaren PC (Ortsvorsteher? Schule? Bank?) per Internet herunterladen (oder sich vom Onkel in der Stadt geladen schicken lassen?): da wäre schon mal ein ganzes Stück Bildung mehr möglich als mit einem "100$-PC", der unter 150 $ nicht machbar scheint. Und wenn beim d.B. ein Touchscreen üblich wird, weitet das die Möglichkeiten noch mal kräftig aus. Und wenn e-Papier ins Spiel kommt, sinkt der Energieverbrauch auf quasi Null.

Oder auch eine technische Anwendung: z. B. eine langsam laufende Regelungs-Hardware wie eine einfache, billige Regelung für die Eigenheims-Heizung! Hier bräuchte man quasi nur die Stromversorgung (Netzteil? Batterie/Akku?) und die Periherie (aus billigen Komponenten): eine "Konsolen-Karte" mit einem kleinen LCD-Display und ein paar Tastern, und eine In/Out-Karte mit einem Analog/Digital-Konverterchip fürs Temperaturmessen und zwei bis vier Relais (oder Schütze) für die Ansteuerung des Mischermotors. Das Programm wird auf dem PC entwickelt (oder evtl. per Download besorgt) und dann mit einem kleinen BS (und e. BASIC-Interpreter?) auf die Karte geladen: diese stellt dann quasi den Abarbeitungs-Computer dar, womit hier die historische Trennung zwischen Arbeitsspeicher und Dauerspeicher wieder aufgehoben würde.

Ähnlich sollte es mit USB-Sticks gehen: da gibt es ja bereits Sticks für Fernsehen, Funknetze und Boot-Sticks mit BS drauf. Dies mag mit ROMs realisiert sein; aber ROM ist ja im Prinzip durch Flash-Speicher ersetzbar. - Wolfram, 149.225.62.8 13:24, 21. Dez. 2009 (CET)

Ich bin mir sicher, dass sich auch in so einem digitalen Bilderrahmen DRAM befindet. Die Datenpübertragungsrate von Flash-Speicher, den man in Speicherkarten um 3€/GB bekommt, ist mit maximal ein paar dutzend MB/s selbst für Compueter der 80er-Jahre zu langsam, um als Arbeitsspeicher eingesetzt zu werden und selbst bei sehr schnellem Flash-Speicher (das Maximum ist derzeit ca. 1400 MB/s lesen und ca. 1200 MB/s schreiben, siehe [1]) ist die Zugriffszeit für den Einsatz als Arbeitsspeicher mit mindestens 0,1ms beim lesen und ca. 0,4ms beim Schreiben viel zu langsam. Flash-Speicher kann man bestenfalls in sehr einfachen geräten als Arbeitsspeicher einsetzten (z.B. Digitaluhren, einfache Taschenrechner), aber sicher nicht in Geräten mit hochauflösendem graphischen Display, wie z.B. digitalen Bilderrahmen ("hochauflösend" ist ind em Fall relativ zu einfachen Geräten gemeint, in dem Sinne ist schon QVGA hochauflösend). -MrBurns 18:48, 22. Dez. 2009 (CET)

"Hauptspeichermedium"

Darunter würde ich jetzt einen Arbeitsspeicher verstehen. Klärungsbedarf besteht. --Chricho 23:24, 10. Apr. 2010 (CEST)

ich denke da ist Festplattenersatz gemeint. Die beherbergen die meisten Daten -> Hauptspeicher. Das der begriff Hauptspeicher natürlich synonym für Arbeitsspeicher (derzeit DRAM) genutzt wird, macht die Formulierung sehr unglücklich. --Cepheiden 23:42, 10. Apr. 2010 (CEST)

O ja. Ich habe das mal ein bisschen geändert. --PeterFrankfurt 00:18, 11. Apr. 2010 (CEST)

Mehrjährig nahezu konstante Kosten?

Mich interessiert vor allem, warum die Kosten von SSDs und USB-Sticks derart konstant sind. Die für die IT-Branche übliche Verbilligung von Produkten gleicher Leistung findet kaum statt. Was sind hierfür die Ursachen? -- 80.121.0.235 21:53, 13. Okt. 2010 (CEST)

Schau einfach länger hin. Sowas bewegt sich anscheinend in Stufen, irgendwann macht es dann doch noch einen Satz nach unten. Dann aber um ein größeres Maß und nicht in vielen kleinen Schritten, da man die aktuellen Preise anscheinend nicht dauernd verändern möchte. (Reine Spekulation meinerseits.) --PeterFrankfurt 02:43, 14. Okt. 2010 (CEST)

Angebot und Nachfrage. Und die Nachfrage an SSDs ist meiner Ansicht nach recht hoch. --Cepheiden 08:04, 14. Okt. 2010 (CEST)

c't-Labortest

"Bei einem Test der Computerzeitschrift c’t wurde ein USB-Stick 16 Millionen Mal beschrieben (immer auf dieselbe Datei), ..." - das sagt jetzt quantitativ wenig aus (solange man nicht mindestens weiss wie gross die datei im Verhältnis zur Stick war). --Itu 17:38, 28. Nov. 2010 (CET)

Stimmt, dieser Test ist praktisch undokumentiert und daher nicht aussagekräftig. Weder der Hersteller, Modell, Kapazität oder NAND-Typ des USB Speichersticks wurden genannt. Zudem wurde ja nur eine logische Adresse angesprochen, also alle Schreibzugriffe einer (unbekannten) Dateigröße auf die gesamte (unbekannte) Kapazität verteilt. Es gab Ende 2006 schon 8GB USB-Sticks (Transcend TS8GJF2A), also mit 8 Milliarden Byte Kapazität. Das wären 64.000.000.000 Bit oder eben SLC-Zellen. Flash-Haltbarkeit | c't Die Technik der Flash-Speicherkarten | c't -- Angerdan 23:50, 3. Jun. 2011 (CEST)

Gelöschter Zustand

Der Artikel nennt "0" als den Zustand eines gelöschten Bits, "1" als programmiert. Dies steht im Widerspruch zu meiner Erfahrung: nach dem Löschvorgang wird ein Flash-Speicher (wie ein klassisches EPROM) als "1" ausgelesen. Auch steht es im Widerspruch zu http://de.wikipedia.org/wiki/NAND-Flash, wo wir "Wie bei Flash-Speichern üblich, können die Bits in den Bytes nur von 1 nach 0 gekippt werden. Der umgekehrte Weg ist nur über einen Löschvorgang zu erreichen." lesen. Hsemken 13:03, 6. Jun. 2011 (CEST)

Lässt sich das überhaupt so pauschal verallgemeinern? Ich mein erstens ist es reine Definitionssache ob der Zustand bei dem der Transistor leitend ist nun gelöscht oder als programmiert angesehen wird. Zweitens ist es auch eine Definitionssache des Entwicklers oder er dem gelöschten Zustand nun eine 0 oder 1 zuordnet. --Cepheiden 17:16, 6. Jun. 2011 (CEST)

Die Dinger haben wie die EPROMs einen exakt vorgegebenen Löschvorgang. Und nach diesem stehen die Bits anscheinend immer auf 1, da wird wohl wie bei den EPROMs keiner was ganz anderes erfunden haben, was ja auch alles andere als trivial wäre. --PeterFrankfurt 01:24, 7. Jun. 2011 (CEST)

Die Zuordnung eines physikalischen Wertes und der logischen Wert ist aber nicht zwingend vorgegeben, oder? --Cepheiden 02:06, 7. Jun. 2011 (CEST)

Genau weiß ich es nur bei EPROMs, da werden die Bits durch die UV-Bestrahlung alle auf 1 gesetzt, das geht gar nicht anders. Wenn Du an eine Flash-Zelle die Löschspannung anlegst, vermute ich (weiß es aber nicht, wir sollten mal einen fragen, der Ahnung hat, oder was lesen), dass da auch physikalisch nur eine Richtung (sinnvoll) möglich ist. --PeterFrankfurt 02:14, 7. Jun. 2011 (CEST)

1 ist ein interpretierter Wert eines physikalischen Zustands. Beim EPROM bewirkt die UV-Bestrahlung die Entladung des Floating-Gates. Die Zuordnung von „entladenes Floating-Gate“ = 1 ist aber willkürlich festgelegt, oder nicht? Evtl. ist das ja ein internationaler Standard, aber ebenso gut könnte man es als 0 festlegen. Oder was spricht dagegen? --Cepheiden 02:23, 7. Jun. 2011 (CEST)

Na ja, bei den EPROMs führt eine UV-Löschung zu einem bestimmten Spannungspegel auf den Ausgangspins der Speicherzellen. Und wenn der nun mit dem High-Pegel übereinstimmt, dann nennt man das praktischerweise auch "1", denn sonst müsste man ja zusätzliche Inverter einbauen, die Zeit und Strom kosten würden, und das will keiner. Also ist diese Festlegung doch wohl naturgegeben (technologiegegeben). --PeterFrankfurt 01:04, 8. Jun. 2011 (CEST)

Gibt es ausschließlich EPROMs, die im gelöschten Zustand einen High-Pegel angeben? Oder gibt es auch andere. Ich würde hier erwarten, dass hier alle 4 Varianten von n- und p-Kanal bzw. selbstleitend und selbstsperrend möglich sind, und ggf. eine Variante dominant ist. Von daher erwarte ich eigentlich, das dies (wie im Artikel hier schon länger geschrieben steht) eben nicht naturgegeben auf alle Bauelemente übertragen werden kann. Und auch ist Zuordnung von des High-Pegels zum logischem Wert "1" in der "Software" mit Sicherheit nicht naturgegeben sondern eine Festlegung. Verstehst du was ich meine? In dem Zusammenhang finde ich übrigens die im Artikel angegeben Quelle als nicht gerade passend. Denn sie beschreibt eben keine allgemeine Konvention wie eine Norm oder ähnliches. --Cepheiden 10:23, 8. Jun. 2011 (CEST)

Meines Wissens funktionieren alle EPROMs in dieser Hinsicht identisch. Ob da sinnvolle Alternativen überhaupt existieren, entzieht sich meiner Kenntnis. Bei Flash ist es komplizierter, es gibt ja NAND- und NOR-Flashs sowie Single- und Multi-Level-Cells, da weiß ich nichts über die Details. Also zumindest ich stochere vollkommen im Nebel, wir brauchen dringend jemanden vom Fach. --PeterFrankfurt 01:53, 9. Jun. 2011 (CEST)

TLC-Technologie fehlt

Siehe dazu bei Solid-State-Drive mit hilfreichem Infokasten zur "Lebensdauer". --Viktor (Diskussion) 03:45, 3. Nov. 2013 (CET)

Was willst du uns damit sagen? Es gibt doch sogar einen eigenen Artikel TLC-Speicherzelle. --Cepheiden (Diskussion) 11:06, 3. Nov. 2013 (CET)

Geschichte

Der Geschichtsabschnitt ist sehr dürftig, Flash-Speicher gibts viel länger las seit 1994 (wurde vorher halt nicht in Memory-Sticks, etc. verwendet, aber z.B. zum Speichern des BIOS). Vielleiocht sollte man sich am englischen Artikel orientieren. --MrBurns 15:02, 17. Mai 2008 (CEST)

Ist mir auch gerade sauer aufgestoßen; hab' entsprechend mal einen 'Belege'-Baustein gesetzt.

Eine "Entwicklungsgeschichte" müsste erst mal was von PROMs und EPROMs erzählen, dann auf EPROMs mit eingebettetemr UV-Birnchen und EEPROMs kommen, bis dann das Flash-EEPROM entstand.

--arilou (Diskussion) 13:59, 14. Nov. 2014 (CET)

Störabstand bei MLC

"Multilevel-Zelle: Hier speichert die Flash-Zelle nicht nur ein Bit, sondern (meist) 2, inzwischen auch 4 [2] voneinander unabhängige Bitzustände. Diese werden in Leitfähigkeitswerte kodiert, die in der Ausleseelektronik wieder auf die beiden Bits verteilt werden. Der faktischen Verdopplung der Speicherkapazität steht aber die deutlich verlängerte Zugriffszeit (es muss eine analoge Spannung auf vier Niveaus gegenüber nur zwei bei den binären Flash-Zellen überprüft werden) und eine größere Fehlerwahrscheinlichkeit (eine Leitfähigkeitsänderung um ein Viertel des maximalen Leitfähigkeitsunterschied kann bereits den Wert des in der Zelle gespeicherten Niveaus verändern) entgegen."

Der Abschnitt ist irreführend. Bei zwei Bits pro Zelle müssen 4 Ladungszustände unterschieden werden, bei 4 Bits pro Zelle sind es 16 Ladungszustände.

Zitat: ...(eine Leitfähigkeitsänderung um ein Viertel des maximalen Leitfähigkeitsunterschied kann bereits...

Das gilt zwei Bits pro Zelle, und ist der günstigste Fall: Sie kann nicht bereits, sondern sie wird garantiert ändern. Schlechtestenfalls wird eine minimale Änderung bereits zum Bitkippen führen, wenn das Ladungsniveau an einer Schwelle lag.

Wenn man die Ladung der Zelle zwischen 0 und 1 charakterisiert, lägen die Schaltschwellen bei 1/4, 2/4, 3/4. Idealerweise lägen die Bitzustände bei 1/8, 3/8, 5/8, 7/8. Ändert sich dann der Zustand um mehr als ein Achtel, fällt man in die nächste Kodierung.

Günstigstenfalls kann sich der Zustand also um fast ein Viertel ändern ohne daß sich die Kodierung ändert, schlechtestenfalls ändert er sich um ein bißchen und man fällt ins nächste Feld. Genau das passiert bei der Data Retention Time, mit der Zeit verliert das Gate Ladung, und irgendwann wird halt das nächste Feld erreicht.

Also: bei zwei Bits pro Zelle langt die Änderung um 1/8, um vom idealen Ladungszustand für die Kodierung in die nächste zu kommen, bei 4 bits/Zelle verringert sich das auf 1/32.

Nun wird beim Programmieren ja nicht immer der ideale Zustand erreicht, beim Auslesen liegen die Schwellen auch je nach Temperatur und Betriebsspannung wohl auch nicht immer ideal. Aus diesem Grund arbeitet man ja digital, und nicht analog, und da hat Binärkodierung der Zelle den größten Störabstand, verkraftet größere Abweichungen wenn ich 4 Bits/Zelle habe.

Die Data Retention Time wird ja durch schleichenden Ladungsverlust begrenzt, und die dürfte beim Umstieg auf MLC gehörig sinken.

Analoge Flash-Speicher gab es glaube ich auch mal, für Anrufbeantworter.

hhs 213.157.11.60 14:35, 6. Nov. 2008 (CET)

Ähm, "idealerweise" sehe ich anders. [2 Bit/Zelle:] Wenn '0' der kleinstmögliche Widerstandwert ist, und '1' der größte, dann sollten die 4 Zustände nicht 'idealerweise' bei 1/8, 3/8, 5/8, 7/8 liegen, sondern bei 0/6, 2/6 , 4/6, 6/6. Das vergrößert den "Sicherheitsabstand" auf 1/6. Analog bei 4-Bit-pro-Zelle: Es müssen 15 Abstände zwischen den 16 Zuständen möglichst groß werden -> 0/30, 2/30, 4/30, ... 30/30, ergibt einen Sicherheitsabstand von 1/30, nicht 1/32.

--arilou (Diskussion) 13:42, 20. Okt. 2015 (CEST)

VNAND

Ich verlinke hier mal aus der en.wp https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#Vertical_NAND Falls das jemand einbauen könnte ... Kleiner Nachtrag: Hier gibts faszinierende Einblicke in den Aufbau von VNAND-Chips: https://www.youtube.com/watch?v=5Mh3o886qpg Wahnsinn, wie die Technologie fortschreitet ... --Agentjoerg (Diskussion) 19:08, 18. Mai 2023 (CEST)

Materialsammlung

• https://www.computerbase.de/2022-07/micron-b58r-mit-232-layern-der-fortschrittlichste-3d-nand-geht-in-serie-und-beeindruckt/ (nicht signierter Beitrag von Agentjoerg (Diskussion | Beiträge) 17:37, 30. Mai 2023 (CEST))